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南昌QPQ技術(shù)QPQ

發(fā)布時(shí)間:2024-01-23 01:35:44
南昌QPQ技術(shù)QPQ

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試驗原材料及加工工藝試驗原材料為40Cr鋼(時(shí)效處理后基材強度約為274HV),選用線(xiàn)切割加工金相試樣,損壞試驗試樣規格φ30mm×10mm,抗腐蝕試驗試樣規格φ10mm×100mm,各自對各試樣開(kāi)展識別碼,經(jīng)不一樣熱表處理時(shí)各試樣的識別碼信息內容如表1所顯示。試樣表面開(kāi)展切削生產(chǎn)加工,使表面表面粗糙度做到1.6μm,試樣熱表處理前通過(guò)沒(méi)有水甲苯清理、水浸洗、烘干解決。經(jīng)不一樣熱表處理時(shí),加工工藝主要參數如表2所顯示。通過(guò)QPQ解決和氧化解決后,試樣表面為灰黑色,通過(guò)不銹鋼解決后表面為銀光澤度,而通過(guò)正離子滲氮解決后其表面為深灰色。

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低碳環(huán)保發(fā)明該工藝的德國迪高沙公司因為此工藝獲得德國環(huán)保大獎。在國內,QPQ處理工藝過(guò)程經(jīng)有關(guān)環(huán)保部門(mén)檢測鑒定,并經(jīng)全國各地用戶(hù)的實(shí)際使用證明是無(wú)公害,無(wú)污染、不含重金屬的。并用以代替電鍍等一些污染較重的工藝??商娲嗟拦ば?,降低時(shí)間成本金屬材料經(jīng)過(guò)QPQ鹽浴復合工藝處理后,在提高其硬度和耐磨性的同時(shí)還提高其耐抗腐蝕性,因此可以代替常規的淬火(離子氮化、高頻淬火等)一回火一發(fā)黑(鍍鉻)等多道工序,大大了縮短生產(chǎn)周期,降低生產(chǎn)成本。大量的生產(chǎn)數據表明,QPQ處理與滲碳淬火相比可以節能50%,比鍍硬鉻節約成本30%QPQ,QPQ如何分類(lèi)性?xún)r(jià)比高。

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QPQ鹽浴氮化過(guò)程中使用三種鹽,分別是氮化基鹽、調整鹽和氧化鹽。氮化鹽:決定著(zhù)氰酸根分解出活性氮原子的能力,因此在QPQ過(guò)程中起著(zhù)關(guān)鍵性作用,鹽的使用周期、質(zhì)量收得率、產(chǎn)生渣量直接影響生產(chǎn)成本,鹽的使用溫度范圍決定著(zhù)鹽的通用性。調整鹽:在生產(chǎn)過(guò)程中當氮化鹽浴的氰酸根發(fā)生反應生成碳酸根后濃度下降時(shí),加入調整鹽,以使分解出的碳酸根再生成氰酸根,維持其含量在規定的范圍之內。調整鹽的氧化性不能太強也不能太弱。氧化鹽:使工件從氮化爐帶出來(lái)的氰根分解成碳酸鹽沉渣,同時(shí)工件表面被氧化,生成致密的氧化膜。高品質(zhì)的氧化鹽使得工件外觀(guān)黑又亮。在QPQ鹽浴處理過(guò)程中,根據材質(zhì)、技術(shù)要求選擇合適的工藝參數,嚴格把控各生產(chǎn)工序外,選擇正規廠(chǎng)家生產(chǎn)的鹽也非常重要,可避免花斑、腐蝕等問(wèn)題的發(fā)生,減少質(zhì)量問(wèn)題,降低生產(chǎn)成本。

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技術(shù)將熱處理與防腐蝕處理一次完成,處理溫度低, 時(shí)間短,能同時(shí)提高零件表面硬度、耐磨性和抗蝕性,減少摩擦系數,形小,無(wú)公害。具有優(yōu)化加工工序,縮短生產(chǎn)周期,降低生產(chǎn)成本的優(yōu)點(diǎn), 得到眾多廠(chǎng)家的認可和贊譽(yù)。在工藝上它是熱處理技術(shù)與防腐蝕技術(shù)的結合,在性能上它是高耐磨性和高抗蝕性的結合, 在滲層上是由多種化合物組成的復合滲層。因此國外認為這是金屬表面強化技術(shù)領(lǐng)域內的巨大進(jìn)展, 把它稱(chēng)之為-種新的冶金方法。這種技術(shù)是一種金屬表面改性技術(shù),具有高抗蝕性、高耐磨、無(wú)公害等特點(diǎn),對所有黑色金屬材料均適用,從純鐵、低碳鋼、結構鋼、工具鋼到各種高合金鋼。

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工藝及參數要求 料筐要用專(zhuān)用料筐,裝爐量控制在坩堝中鹽重的35%以?xún)?,否則會(huì )影響滲層厚度。清洗油之后,須把清洗劑殘液漂洗干凈,否則預熱會(huì )產(chǎn)生腐蝕斑點(diǎn)。預熱∶預熱溫度320~350℃,保溫0.30~1.0h,注意顏色為蘭色帶黃為宜,整筐顏色一致。氮化∶575℃(560~580℃),保溫2.0小時(shí),升溫至565℃開(kāi)始計保溫時(shí)間。注意工件進(jìn)爐后爐溫不能低于530℃,否則會(huì )產(chǎn)生腐蝕斑紋。預冷∶共滲出爐后預冷至480℃左右(注意不能讓鹽有疑固)才可進(jìn)入氧化爐進(jìn)行氧化,若進(jìn)爐過(guò)早易氧化發(fā)黃(淺銹)。氧化:一次(氮化隨后)氧化380~420℃,保溫15~30分鐘;二次(拋光后)氧化410~430℃,保溫45~90分鐘。

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